Кафедра Полупроводниковой электроники

1 (2).jpg
Кафедра полупроводниковой электроники (кафедра №3) радиофизического факультета ТГУ ведет подготовку:
по направлению 03.03.03 – радиофизика (степень – бакалавр), срок обучения – 4 года;
по направлению 03.04.03 – радиофизика (степень – магистр), срок обучения – 2 года.
   Полупроводниковая электроника – это совокупность областей науки и техники, которые связаны с изучением закономерностей движения электронов в твердых телах, их взаимодействия с внешними электрическими, магнитными и другими полями, с разработкой, изготовлением и применением приборов на основе этих закономерностей.
   Кафедра осуществляет специализацию (профилирование) студентов РФФ в области исследований, разработки, изготовления и применения полупроводниковых приборов различного назначения и устройств на их основе.
   С этой целью студентам дается широкая подготовка в области физики полупроводников и полупроводниковой электроники.
   В специальных дисциплинах рассматриваются свойства современных материалов микро-, опто- и наноэлектроники, принципы действия и конструкции приборов микро-, опто- и наноэлектроники, устройств микросенсорики, а также основные технологические процессы, используемые при получении полупроводниковых материалов и изготовлении твердотельных приборов и устройств.
   В число 14 сотрудников кафедры входят 3 доктора и 7 кандидатов наук.
   Учебную базу кафедры составляют три учебных лаборатории – физики полупроводников, полупроводниковой электроники и полупроводниковой оптоэлектроники.
   Научная работа сотрудников, аспирантов и студентов кафедры также связана с изучением особенностей протекания электронных процессов и возможностями их управления в полупроводниковых структурах различных типов с целью использования  в  активных элементах электронных устройств.
   Научно-исследовательская работа студентов, а также их практика,  проходят как в научных подразделениях ТГУ: лаборатории функциональной электроники (заведующий – профессор кафедры О.П. Толбанов), лаборатории полупроводниковых приборов Сибирского физико-технического института (заведующий – доцент кафедры Е.Ю. Севастьянов), так и в других научных организациях и научно-производственных предприятиях Томска и за его пределами.
Тематика основных исследований охватывает следующие научные направления:
  • квантово-чувствительные полупроводниковые детекторы ионизирующих излучений;
  • полупроводниковые газовые сенсоры;
  • субнаносекундные твердотельные разрядники;
  • гетероструктуры для полупроводниковых источников освещения;
  • полупроводниковые кристаллы для нелинейной оптики и терагерцовой спектроскопии;
  • новые оксидные полупроводники и структуры.
 Потребность в таких приборах и материалах существует в системах связи и управления, технологических устройствах, измерительной и диагностической технике, ядерной физике, медицине, угольной, газовой и нефтяной промышленностях, других отраслях науки и техники.
 Студенты, склонные к серьезным научным исследованиям, продолжают подготовку через магистратуру. С 2018 года на кафедре началась магистерская подготовка по новой основной образовательной программе «Материалы и устройства функциональной электроники и фотоники», которая связана с основными научными направлениями кафедры, ЛФЭ и ЛПП. Партнёром по этой программе выступает Объединённый институт ядерных исследований (г. Дубна), который обеспечивает подготовку в рамках модуля специализации «Устройства и методы физики элементарных частиц». Программа магистратуры включает, помимо общих курсов, такие дисциплины как:
«Материалы и структуры функциональной электроники и фотоники»,
«Labview – современная технология автоматизации измерений»,
«Анализ и моделирование полупроводниковых структур»,
«Низкоразмерные структуры в электронике»,
«Технологии материалов и устройств функциональной электроники»,
«Сенсоры»,
«Терагерцовая оптоэлектроника».
 На кафедре ведется подготовка аспирантов по научному направлению 03.06.01 – «Физика и астрономия» (профиль 01.04.10 – «Физика полупроводников»).
Знания, полученные на кафедре, способствуют быстрой адаптации выпускников в областях науки и техники, связанных с электроникой, таких как: микроэлектроника, оптоэлектроника, наноэлектроника, полупроводниковая технология, полупроводниковая схемотехника.
Выпускники кафедры работают в областях, связанных с электроникой, приборостроением, связью, измерительной и вычислительной техникой – в вузах, научно-исследовательских организациях, на промышленных предприятиях, в частности – в АО «НИИПП», НПФ «Микран», АО «НПЦ «Полюс», ГНЦ РФ «Институт физики высоких энергий» (г. Протвино), РФЯЦ «ВНИИЭФ» (г. Саров) и других.
Кафедра полупроводниковой электроники РФФ размещается на 2-ом этаже корпуса № 11 ТГУ. Заведующим кафедрой является доктор физ.-мат. наук, профессор Гермогенов Валерий Петрович (комнаты 201 и 210, тел 41-34-63).
9.jpg