Материалы и устройства функциональной электроники и фотоники

Основная профессиональная образовательная программа высшего образования

по направлению 03.04.03 Радиофизика, квалификация — магистр

Образовательная программа направлена на подготовку выпускников к разработкам и научно-исследовательской деятельности в области полупроводникового материаловедения, технологии и проектирования структур и приборов функциональной электроники, фотоники и микроэлектроники. Выпускники готовы к поиску и анализу новой информации, учитывающей мировые тенденции развития науки, и решению исследовательских и прикладных задач в интересах ведущих научных организациях и предприятий. Целью ОПОП является формирование фундаментальных знаний и прикладных навыков для последующей быстрой адаптации в областях науки и техники, связанных с электроникой, таких как: микро-, нано- и оптоэлектроника; полупроводниковая технология и схемотехника; проектирование и моделирование приборов и интегральных микросхем.

Современная полупроводниковая электроника является основой для силовой и СВЧ-электроники, оптоэлектроники и фотоники, интегральной схемотехники, наноэлектроники и микроэлектроники в целом. Глубокое понимание физических принципов работы полупроводниковых приборов и фундаментальных ограничений требуются для быстрой и качественной разработки в областях, связанных с автоматикой, робототехникой, сенсорикой, телекоммуникациями, системами связи и других областей науки и техники. Основные направления исследований магистрантов: полупроводниковые детекторы оптического диапазона и ионизирующих излучений; сверхбыстрые переключатели для силовой импульсной техники; полупроводниковые газовые сенсоры; широкозонные оксиды и нитриды для силовой техники и фотоники; проектирование Si интегральных микросхем зарядочувствительных усилителей; проектирование и моделирование приборов микроэлектроники на основе различных полупроводниковых соединений и другие.

Магистранты проводят исследования в одном из крупнейших индустриальных центров микроэлектроники России «Перспективные технологии в микроэлектронике» , где  разрабатываются уникальные технологии в области функциональной электроники, не имеющие аналогов в мире.

Также, участвуют в международных и зарубежных научных конференциях, проводят научные исследования по актуальным темам, в том числе совместно с ведущими российскими и зарубежными исследовательскими группами: Университет Осло (Норвегия), Болгарская Академия Наук, ФТИ им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург).

В своих работах магистранты представляют актуальные проекты, которые находят применение в реальном производстве. Востребованность таких специалистов отмечают и потенциальные работодатели.

Магистранты регулярно занимают призовые места на региональных, областных и всероссийских соревнованиях и конкурсах.

Уровень подготовки инженеров, закончивших программу, высоко оценивают признанные эксперты индустрии. Выпускники строят успешную карьеру на высокотехнологичных производственных предприятиях, в научных и образовательных организациях, функционирующих в конкурентной глобальной окружающей среде.

---

Программа имеет аккредитацию Ассоциации инженерного образования России и European Accreditation of Engineering Programmes и внесена в общеевропейский регистр аккредитованных инженерных программ.

---

На первом курсе магистратуры предусмотрено прохождение оплачиваемой летней практики на предприятии из списка наших партнеров либо в месте на усмотрение магистранта.

---

Варианты профессий

Выпускники строят успешную карьеру на высокотехнологичных производственных предприятиях, в научных и образовательных организациях.

Уровень их подготовки  высоко оценивают признанные эксперты индустрии.

Примеры  будущих профессий:

• инженер-радиоэлектронщик;
• инженер связи (телекоммуникаций);
• инженер-конструктор в области производства монолитных интегральных схем;
• инженер-конструктор в области производства приборов микроэлектроники;
• инженер-технолог в области производства эпитаксиальных полупроводниковых структур;
• инженер-технолог в области производства полупроводниковых приборов микроэлектроники и интегральных микросхем;
• научный сотрудник в области исследования и разработок приборов микроэлектроники и интегральных микросхем.

---

Руководитель программы

Прудаев Илья Анатольевич кандидат физико-математических наук, доцент кафедры полупроводниковой электроники, заведующий лабораторией неравновесных процессов в полупроводниковой электронике Индекс Хирша: 10 Контактный Е-mail

---

Основные дисциплины

• Методы исследования параметров материалов и структур (включает практические занятия, знакомит магистрантов с современным аналитическим оборудованием).
• Микроконтроллеры (содержит блок практических занятий по использованию микроконтроллеров для автоматизации эксперимента).
• Технологии материалов и устройств функциональной электроники (включает экскурсии и знакомство с технологическим оборудованием в производственных структурах г. Томска по направлению “микроэлектроника”: установки высокотемпературной обработки полупроводниковых структур, установки выращивания и легирования полупроводников, установки нанесения тонких пленок, установки фотолитографии и прочее).

---

Тематики диссертаций

• Исследование электрофизических свойств твердых растворов и смесей в системе оксидов индия и галлия.
• Влияние технологических условий изготовления варикапов из GaAs на их характеристики.
• Исследование радиационного эффекта RLDRS в биполярных ОУ с участием дефектов эксплуатационного происхождения.
• Моделирование динамических характеристик детектора ионизирующего излучения из арсенида галлия, легированного хромом.
• Разработка матричных сенсоров рентгеновского излучения на основе монокристаллического карбида кремния.
• Разработка матричных сенсоров рентгеновского излучения на основе монокристаллического сапфира.
• Разработка многоканального зарядочувствительного усилителя на основе Si для гибридных flip-chip детекторов, используемых в физических экспериментах на синхротроне СКИФ.
• Снижение коммутационных потерь в сильноточных субнаносекундных ключах из GaAs, используемых в гибридных микросборках лидарных передатчиков.  
• Двумерное моделирование плазменных шнуров в GaAs с учетом локального разогрева кристаллической решетки.
• Исследование переноса носителей заряда в излучающих структурах на основе квантовых ям InGaP/AlInGaP.
• Влияние короткопериодных сверхрешеток на эффективность люминесценции в излучающих структурах InGaN/GaN.

---

Ваши научные руководители

Копьев Виктор Васильевич, ТГУ, h = 5

Алмаев Алексей Викторович, ТГУ, h = 9 

Прудаев Илья Анатольевич, ТГУ, h = 10

Аткин Эдуард Викторович, МИФИ/ТГУ, h = 14

Саркисов Сергей Юрьевич, ТГУ, h = 15

Тяжев Антон Владимирович, ТГУ, h = 15

Толбанов Олег Петрович, ТГУ, h = 18

Шехтман Лев Исаевич, ЦКП СКИФ/ТГУ, h = 91

---

Документы программы

Здесь можно почитать подробнее о предметах, которые будут изучаться.

---

Базовые подразделения

Кафедра полупроводниковой электроники   (ВК-сообщество кафедры полупроводниковой электроники)

Центр исследований и разработок «Перспективные технологии в микроэлектронике» ТГУ включает 5 лабораторий, в том числе — конструкторское бюро и технологический центр.

---

Практика магистрантов

АО «НИИПП» (Томск),  АО “НПЦ “Полюс” (Томск), ООО “ИРЗ” (Ижевск),  ЦКП «СКИФ» (Новосибирск), АО “НПФ “Микран” (Томск), ОИЯИ (Дубна), ИФВЭ (Протвино), ООО “ЛОК” (Томск).

---

Отзывы выпускников

Наши выпусники делятся своим честным мнением об обучении на РФФ