10 апреля Александр Цымбалов, аспирант кафедры полупроводниковой электроники (а также выпускник ее бакалавриата и магистратуры), младший научный сотрудник Центра исследований и разработок «Перспективные технологии в микроэлектронике, подтвердил свою высокую профессиональную квалификацию, защитив работу на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук.
Диссертационная работа Александра выполнена по теме «Электрические и фотоэлектрические характеристики структур на основе пленок оксида галлия» (специальность 1.3.11 — Физика полупроводников) под руководством доцента кафедры полупроводниковой электроники, кандидата физико-математических наук, доцента Веры Михайловны Калыгиной и посвящена фундаментальным вопросам механизма проводимости полупроводниковых структур на основе пленок оксида галлия, а также их чувствительности к УФ-излучению.
Впервые описано образование внутреннего электрического поля в структурах металл\оксид галлия при воздействии ультрафиолетового излучения, что позволит в дальнейшем использовать пленки оксида галлия для разработки солнечно-слепых детекторов ультрафиолетового излучения, широко востребованных в современных условиях.
Поздравляем Александра и желаем сил и энергии для движения к новым целям, новых профессиональных удач и побед!
