19 октября состоялась защита кандидатской работы на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук, выполненной нашим молодым коллегой — выпускником бакалавриата и магистратуры кафедры полупроводниковой электроники, аспирантуры 1.3.11. Физика полупроводников, а ныне — младшим научным сотрудником Центра исследований и разработок «Перспективные технологии в микроэлектронике» Иваном Щербаковым.
Диссертация «Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения» выполнена под руководством директора ЦИР ПТМ, доктора физико-математических наук, профессора О.П. Толбанова и посвящена вопросам фундаментальных принципов работы сенсоров на основе высокоомного GaAs, компенсированного хромом.
В основу диссертации легли результаты многолетних исследований, в том числе — проведённых в рамках проекта, поддержанного мегагрантом правительства РФ.
Поздравляем Ивана и желаем новых ярких целей, сил и упорства в их достижении, радости заслуженных побед!
